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電源管理半導體開始復蘇

    據IHS iSuppli公司的電源管(guan)理(li)市場追蹤(zong)報告,繼2011年(nian)第四季度慘跌之后,電源管(guan)理(li)半(ban)導體在2012年(nian)初有所回升,并在第二季度終于走(zou)上明(ming)顯(xian)增長之路(lu),主要是受消費與工(gong)業(ye)領域(yu)的擴張推動。

  第二季(ji)度(du)(du)(du)(du)電源管(guan)理半導體營(ying)(ying)業(ye)收(shou)入將達到80億美(mei)元(yuan),比第一季(ji)度(du)(du)(du)(du)的75億美(mei)元(yuan)增(zeng)長6.7%。這是(shi)該產(chan)業(ye)營(ying)(ying)業(ye)收(shou)入在(zai)去年(nian)(nian)底急(ji)劇下(xia)降以來,首次有明顯的增(zeng)長跡象。在(zai)2011年(nian)(nian)第四季(ji)度(du)(du)(du)(du)營(ying)(ying)業(ye)收(shou)入環下(xia)降10.7%以前,該市場曾經連續七個季(ji)度(du)(du)(du)(du)增(zeng)長。

  但是,去(qu)年第(di)四季度(du)過后,該(gai)市場趨于(yu)穩定,今年初營業(ye)收入持(chi)(chi)平,沒有(you)進一步下滑。預計第(di)二季度(du)營業(ye)收入增長,而且下半年有(you)望保持(chi)(chi)這(zhe)種(zhong)勢(shi)頭。

  總體(ti)來看,2012年(nian)電源管理(li)半導體(ti)營(ying)業(ye)收(shou)入(ru)將達到328億(yi)(yi)美(mei)(mei)元,比去(qu)年(nian)的319億(yi)(yi)美(mei)(mei)元小增2.8%。盡管與2009和2010年(nian)的強勁增長相比,今年(nian)的機會(hui)較少(shao),但全(quan)年(nian)營(ying)業(ye)收(shou)入(ru)至(zhi)少(shao)不會(hui)低于去(qu)年(nian)。

  電源管(guan)理(li)市(shi)場每年第四(si)季(ji)度通常(chang)下滑,這是正常(chang)的(de)(de)季(ji)節性趨(qu)勢。但是,去年第四(si)季(ji)度的(de)(de)降(jiang)幅突(tu)顯該市(shi)場非(fei)常(chang)疲弱。電源管(guan)理(li)半導體的(de)(de)作(zuo)用越(yue)來越(yue)重(zhong)(zhong)要(yao),被用于多種電子(zi)產品(pin)之(zhi)中,可以幫助產品(pin)散熱(re)、減輕重(zhong)(zhong)量和縮小尺寸。

  有(you)幾個情況導(dao)致(zhi)去(qu)年第四季度市(shi)場下滑,包括日本3月地震和(he)海嘯導(dao)致(zhi)一(yi)(yi)些廠(chang)商的生產中斷,以及泰(tai)國10月發生嚴重洪災(zai)。全(quan)球(qiu)消(xiao)費者支出放緩,許多政府項目收(shou)縮(suo),也導(dao)致(zhi)情況進(jin)一(yi)(yi)步惡化(hua)。結果去(qu)年底幾乎所(suo)有(you)電源管理半導(dao)體市(shi)場的增長速度都下降。

  但有跡象顯示,該市場正在恢復元氣。雖然因2011年底環比大幅下降,今年第一季度增長微弱,但第二季度和未來消費需求增強,將推動電源管理產業增長。在向來比較強勁另一個領域,電源管理半導體也將繼(ji)續增長,即(ji)工業電子和風能、太陽能及地熱等(deng)替代能源市場。

  在消(xiao)費(fei)領(ling)域,領(ling)先的電源管理產品將是(shi)絕(jue)緣柵(zha)雙(shuang)極晶體管(IGBT)模組,它在許多現代(dai)電器中(zhong)用于開關電源。在消(xiao)費(fei)領(ling)域,電源管理集成電路將是(shi)推動其增長(chang)的最重要產品。

  長期前景看好

  預測顯示,未來(lai)五年(nian)電源管理半(ban)導體營(ying)業收入將增長6.6%,總體增長前景良好。

  在預測期內,電源管理半導體在蘋果iPad等媒體平板(ban)領域的增長將最為強(qiang)勁,2011-2016年(nian)的復合年(nian)度增長率預計(ji)高達30.7%。

  未來五年將推動電源管理(li)產業增長(chang)的其它(ta)市場包括:數字(zi)機(ji)(ji)頂盒,復合年度增長(chang)率(CAGR)預(yu)計(ji)為(wei)15.3%;大樓(lou)與(yu)住宅控制,CAGR預(yu)計(ji)為(wei)13.3%;企業語音網(wang)絡,CAGR預(yu)計(ji)為(wei)13.1%;手機(ji)(ji),CAGR預(yu)計(ji)為(wei)12.3%;移動基礎設(she)施(shi),CAGR預(yu)計(ji)為(wei)11.8%;網(wang)絡交換機(ji)(ji),預(yu)計(ji)為(wei)10.0%。

  與(yu)在工(gong)業(ye)市場(chang)一樣,IGBT模組是(shi)上述(shu)各市場(chang)的(de)(de)(de)主(zhu)要(yao)增長(chang)領域,其次是(shi)低壓及高壓MOSFET。驅動(dong)IGBT模組增長(chang)的(de)(de)(de)主(zhu)要(yao)動(dong)力是(shi)汽(qi)車(che)與(yu)工(gong)業(ye)領域的(de)(de)(de)替代能(neng)源市場(chang),比如汽(qi)車(che)安全與(yu)控(kong)制和能(neng)源生產。

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