雙溪技術公司（Twin Creeks Technologies）是一家新創公司，一直在默默無聞地經營，今天，公司開發出一種方法，用以制作晶硅薄片，它說可以使硅太陽能電池的生產成本減少(shao)一半。公司(si)在(zai)一所(suo)小工廠(chang)展示了這(zhe)項技術，這(zhe)是(shi)一所(suo)每(mei)年25兆瓦的太陽能電池工廠(chang)，正在(zai)建設之中，就在(zai)密西(xi)西(xi)比(bi)(bi)州（Mississippi）的塞納陶比(bi)(bi)亞（Senatobia）。

　　柔性電源(yuan)：雙(shuang)溪公司(si)20微(wei)米厚(hou)的(de)金屬涂層硅(gui)片柔韌(ren)強大(da)。

　　西(xi)(xi)哇?西(xi)(xi)哇拉姆(mu)（Siva Sivaram）是雙(shuang)溪公(gong)司首(shou)席執行官(guan)，他(ta)說，公(gong)司的(de)(de)技術(shu)既減(jian)(jian)少了所(suo)需(xu)硅的(de)(de)數(shu)量，也減(jian)(jian)少了生產設備的(de)(de)成本(ben)。他(ta)聲(sheng)稱，公(gong)司生產太陽能(neng)電池，大約只需(xu)每(mei)瓦(wa)40美(mei)(mei)分，相比之下，現在(zai)最便宜的(de)(de)太陽能(neng)電池也需(xu)要(yao)約80美(mei)(mei)分。雙(shuang)溪公(gong)司已籌集到(dao)9300萬美(mei)(mei)元風險(xian)資(zi)本(ben)，再加上密(mi)西(xi)(xi)西(xi)(xi)比州的(de)(de)貸款和(he)其他(ta)來源的(de)(de)資(zi)金，公(gong)司會用于(yu)建設它的(de)(de)太陽能(neng)工廠(chang)。

　　晶(jing)(jing)硅(gui)片(pian)占(zhan)太(tai)(tai)陽能電池的(de)大部分，傳統方(fang)法制備晶(jing)(jing)硅(gui)片(pian)，需要(yao)切割塊狀或柱狀硅(gui)，形成(cheng)200微米厚(hou)的(de)晶(jing)(jing)圓(yuan)，這(zhe)個工藝(yi)會(hui)(hui)把大約一半的(de)硅(gui)變成(cheng)廢(fei)棄(qi)物。業界使用200微米的(de)晶(jing)(jing)圓(yuan)，因為晶(jing)(jing)圓(yuan)太(tai)(tai)薄，就很脆(cui)，往往會(hui)(hui)在生產(chan)線(xian)上(shang)碎裂。但在理論上(shang)，它們可以達到20至30微米薄，仍(reng)然會(hui)(hui)同(tong)樣有效(xiao)，甚至會(hui)(hui)更有效(xiao)地(di)把太(tai)(tai)陽光(guang)轉換成(cheng)電能。

　　雙溪公(gong)(gong)司(si)的(de)工(gong)藝可(ke)以(yi)制作20微米厚(hou)的(de)硅(gui)片，基本上(shang)沒有(you)浪費(fei)。這(zhe)需(xu)要使用(yong)薄層金屬(shu)，使它們(men)足夠耐用(yong)，可(ke)以(yi)承(cheng)受傳統太(tai)(tai)陽能電(dian)池加工(gong)設備(bei)。西(xi)哇拉(la)姆說，因(yin)為大(da)(da)(da)大(da)(da)(da)減少了線(xian)鋸及(ji)相(xiang)關設備(bei)的(de)使用(yong)，而且制作更薄的(de)晶(jing)圓，所以(yi)，雙溪公(gong)(gong)司(si)所需(xu)的(de)硅(gui)量(liang)減少了90％，也大(da)(da)(da)大(da)(da)(da)降低了資本費(fei)用(yong)。他(ta)說，這(zhe)項技術(shu)可(ke)以(yi)添加到現有(you)的(de)生產(chan)線(xian)上(shang)。這(zhe)家公(gong)(gong)司(si)的(de)主要計(ji)(ji)劃是(shi)出售生產(chan)設備(bei)，而不(bu)是(shi)生產(chan)太(tai)(tai)陽能電(dian)池。“我預計(ji)(ji)，到明年這(zhe)個時候，我們(men)會有(you)六(liu)到十二(er)個這(zhe)樣(yang)的(de)工(gong)具實(shi)地(di)使用(yong)，”他(ta)說。

　　加快太陽(yang)(yang)能發(fa)電(dian)(dian)：雙溪公(gong)司的(de)海曝離(li)3（Hyperion 3）是離(li)子(zi)加速器，用氫離(li)子(zi)轟擊硅(gui)(gui)板，產(chan)生(sheng)非(fei)常薄(bo)的(de)太陽(yang)(yang)能硅(gui)(gui)片，用于太陽(yang)(yang)能電(dian)(dian)池。硅(gui)(gui)板排列(lie)在所(suo)說結構的(de)外圍，離(li)子(zi)撞擊晶圓(yuan)時，這(zhe)些結構會旋轉。

　　這(zhe)個工藝(yi)始于真空(kong)室，其中(zhong)，高能(neng)(neng)氫離子(zi)束轟擊3毫(hao)米(mi)厚(hou)的(de)(de)晶體硅(gui)盤。離子(zi)積累(lei)的(de)(de)精確(que)深度是(shi)20微(wei)米(mi)，這(zhe)是(shi)由光束電(dian)壓控(kong)制的(de)(de)。一旦積累(lei)了足(zu)夠的(de)(de)離子(zi)，機械臂就(jiu)會(hui)快速移去晶圓，然后放在(zai)爐子(zi)里，這(zhe)樣，硅(gui)中(zhong)的(de)(de)離子(zi)就(jiu)會(hui)形成(cheng)微(wei)觀(guan)氫氣(qi)氣(qi)泡(pao)，這(zhe)些(xie)氣(qi)泡(pao)會(hui)擴(kuo)大，在(zai)硅(gui)晶片(pian)中(zhong)形成(cheng)微(wei)小裂(lie)縫，這(zhe)就(jiu)會(hui)使20微(wei)米(mi)厚(hou)的(de)(de)硅(gui)層(ceng)剝落下來。公(gong)(gong)司(si)把金屬襯板用(yong)(yong)于這(zhe)樣的(de)(de)薄層(ceng)硅(gui)上。公(gong)(gong)司(si)使用(yong)(yong)的(de)(de)這(zhe)一專用(yong)(yong)工藝(yi)使它(ta)不同于另(ling)一家公(gong)(gong)司(si)，就(jiu)是(shi)阿斯特(te)(te)羅(luo)瓦特(te)(te)公(gong)(gong)司(si)（Astrowatt），這(zhe)家公(gong)(gong)司(si)制作的(de)(de)晶圓同樣薄。但(dan)是(shi)，阿斯特(te)(te)羅(luo)瓦特(te)(te)公(gong)(gong)司(si)的(de)(de)晶圓只能(neng)(neng)略(lve)為彎曲，這(zhe)就(jiu)難(nan)以(yi)適用(yong)(yong)傳統的(de)(de)生產設備(bei)。

　　雙溪公司的(de)(de)晶(jing)圓可(ke)兼容傳統的(de)(de)太(tai)陽能(neng)電(dian)池生產(chan)(chan)設備，而(er)且，也兼容現在使用的(de)(de)一些(xie)工藝，可(ke)制作(zuo)先進(jin)的(de)(de)太(tai)陽能(neng)電(dian)池設計，如(ru)異質(zhi)結構電(dian)池（heterojunction cells）。 西哇(wa)拉姆說，這種氫(qing)離(li)子(zi)工藝可(ke)以(yi)采(cai)用硅(gui)以(yi)外的(de)(de)單晶(jing)材料(liao)，包括砷化鎵（gallium arsenide），這種半導體生產(chan)(chan)的(de)(de)太(tai)陽能(neng)電(dian)池，效率(lv)打破世界紀錄。

　　使用離(li)子(zi)束制(zhi)(zhi)作晶硅薄晶圓，以(yi)(yi)前(qian)也(ye)考慮過，但過于昂貴，難以(yi)(yi)成(cheng)為(wei)一種(zhong)實用的(de)制(zhi)(zhi)造方法。它需(xu)要(yao)粒(li)子(zi)加速(su)器(qi)，產生(sheng)的(de)離(li)子(zi)束要(yao)有非常高的(de)電流和非常高的(de)能量，“這樣的(de)東(dong)西過去是不存(cun)在的(de)，”西哇拉姆說(shuo)。他說(shuo)，為(wei)了使這項技(ji)術可行，雙溪公司開發出(chu)一種(zhong)離(li)子(zi)加速(su)器(qi)，比市面上的(de)任何加速(su)器(qi)都(dou)要(yao)“強10倍”。

　　雖然公司強調，這項技術兼容現有的(de)生(sheng)產線，但是，它(ta)確實要求(qiu)，至少要有一(yi)項改變。通常情況下(xia)，晶(jing)圓經處(chu)理(li)，會形成粗糙的(de)表面紋理(li)，這有助于它(ta)們(men)吸收光線，而不是反射光線。這種紋理(li)是由金字塔組成，高度相當于雙溪公司晶(jing)圓的(de)厚度，所以，與新晶(jing)片一(yi)起(qi)使用是不切實際的(de)。